ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > IRFR110PBF
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR110PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR110PBF价格参考。VishayIRFR110PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 4.3A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak。您可以下载IRFR110PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR110PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRFR110PBF是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电力电子设备中。以下是该型号的主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS):IRFR110PBF具有低导通电阻(Rds(on)),能够有效降低传导损耗,提高电源转换效率。其快速开关特性使得它在DC-DC转换器、AC-DC适配器等开关电源应用中表现出色。 2. 电机驱动:该MOSFET适用于各类电机驱动电路,如步进电机、直流无刷电机(BLDC)和有刷直流电机。其高电流处理能力和良好的散热性能确保了在高负载条件下稳定运行。 3. 电池管理系统(BMS):用于保护电池组免受过充、过放、短路等问题的影响。通过精确控制充电和放电路径,IRFR110PBF可以实现高效的电池管理。 4. 逆变器:在光伏逆变器和其他类型的逆变器中,IRFR110PBF作为关键的开关元件,负责将直流电转换为交流电。其耐压能力(最大漏源电压Vds为55V)使其适合低压逆变系统。 5. 电动工具:由于其紧凑的封装形式(TO-263-3)和强大的电气参数,这款MOSFET非常适合便携式电动工具中的功率调节和速度控制。 6. 消费电子产品:例如笔记本电脑、平板电脑和其他便携式设备中的电源管理模块。它的低功耗特性和小型化设计有助于延长电池寿命并减小产品体积。 7. 工业自动化:在PLC控制系统、传感器接口以及其他工业自动化组件中,IRFR110PBF提供了可靠的开关功能,支持高效能的信号传递与处理。 总之,IRFR110PBF凭借其优异的电气性能和稳健的设计,在众多领域内都有广泛的应用前景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAKMOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.3 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFR110PBF- |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91265 |
| 产品型号 | IRFR110PBFIRFR110PBF |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 540 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 540 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 16 ns |
| 下降时间 | 9.4 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 180pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.3nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 540 毫欧 @ 2.6A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.3A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |