Datasheet下载- 型号： STB14NM50N
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STB14NM50N由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB14NM50N价格参考。STMicroelectronicsSTB14NM50N封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STB14NM50N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STB14NM50N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STB14NM50N是一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于需要高效功率开关的场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电源适配器中，实现高效的能量转换。 2. 电机控制：在电动工具、家用电器和工业自动化设备中，作为电机驱动电路中的功率开关。 3. 照明系统：用于LED照明和电子镇流器中，提供快速开关和高效能控制。 4. 汽车电子：应用于车载电源系统、电机驱动和照明控制，满足汽车环境下的高可靠性和耐温要求。 5. 消费电子产品：如充电器、变频器和智能插座等设备中，用于功率控制与管理。 该MOSFET具备低导通电阻、高耐压（500V）和良好热性能，适合高频开关应用，有助于提高系统效率和减小电路体积。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 12A D2PAKMOSFET N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 12 A |
| Id-连续漏极电流 | 12 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STB14NM50NMDmesh™ II |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STB14NM50N |
| Pd-PowerDissipation | 90 W |
| Pd-功率耗散 | 90 W |
| Qg-GateCharge | 42 nC |
| Qg-栅极电荷 | 42 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 900 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 900 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 2 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 2 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 9 ns |
| 下降时间 | 32 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 816pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 27nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 320 毫欧 @ 6A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 497-10644-6 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF250073?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 12 ns |
| 功率-最大值 | 90W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Tc） |
| 系列 | STB14NM50N |
| 配置 | Single |
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