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Datasheet下载- 型号： PMPB33XN,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PMPB33XN,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMPB33XN,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMPB33XN,115价格参考。NXP SemiconductorsPMPB33XN,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 4.3A（Ta） 1.5W（Ta），8.3W（Tc） DFN2020MD-6。您可以下载PMPB33XN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMPB33XN,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PMPB33XN,115是一款N沟道增强型逻辑电平MOSFET（单个封装），采用SOT-23（SC-59）小型表面贴装封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 33 mΩ @ VGS = 4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 4.6 nC）及快速开关特性。其额定电压为30 V，连续漏极电流达3.8 A（Tamb=25°C），适合中低功率、高效率、空间受限的应用场景。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理——如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关、LED背光驱动或USB端口过流保护； ✅ DC-DC转换器次级侧同步整流——在降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）拓扑中提升转换效率； ✅ 电池供电系统保护电路——用于电池充放电路径控制、反向电流阻断及电子保险丝（eFuse）功能； ✅ 工业与消费类IoT模块——驱动小功率电机、继电器、电磁阀或传感器接口中的信号切换； ✅ 逻辑电平兼容数字控制——可直接由MCU/IO口（1.8 V–5 V）驱动，无需额外电平转换或驱动IC，简化设计。 该器件具备AEC-Q101车规级可靠性认证（部分批次），亦适用于对可靠性要求较高的车载信息娱乐系统辅助电源模块（非主动力系统）。其小尺寸、低热耗与高鲁棒性，使其成为高集成度、低成本、高效能嵌入式电源解决方案的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 4.3A 6DFN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | PMPB33XN,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 505pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 47 毫欧 @ 4.3A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-DFN2020MD （2x2） |
| 其它名称 | 568-10822-1 |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.3A （Ta） |
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