ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > FCA22N60N
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
FCA22N60N产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FCA22N60N由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FCA22N60N价格参考。Fairchild SemiconductorFCA22N60N封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 22A(Tc) 205W(Tc) TO-3PN。您可以下载FCA22N60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FCA22N60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FCA22N60N 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括以下方面: 1. 开关电源 (SMPS): FCA22N60N 的高电压耐受能力(600V 额定击穿电压)和低导通电阻特性使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用。例如,在 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器或电源模块中,作为主开关或同步整流器件。 2. 电机驱动: 该 MOSFET 可用于中小功率电机驱动电路,例如步进电机、直流无刷电机(BLDC)或有刷直流电机的控制电路。其快速开关特性和较低的 Rds(on) 可以提高效率并减少发热。 3. 逆变器: 在光伏逆变器、UPS(不间断电源)或其他类型的逆变器中,FCA22N60N 可用作功率级开关器件,实现高效的 DC-AC 转换。 4. 负载开关和保护电路: 由于其具备较高的电流处理能力和良好的热性能,该 MOSFET 可用于工业设备或消费电子中的负载开关,提供过流保护、短路保护等功能。 5. PFC(功率因数校正)电路: 在需要功率因数校正的应用中,如家用电器或工业设备,FCA22N60N 可作为升压开关,帮助提高系统的功率因数和效率。 6. 汽车电子: 尽管 FCA22N60N 不是车规级产品,但在某些非关键汽车应用中,它也可以用于电池管理、照明控制或辅助系统中的开关功能。 7. 固态继电器 (SSR): 通过组合多个 MOSFET,可以构建固态继电器,用于替代传统的机械继电器,实现更长寿命和更快响应时间的开关操作。 总结来说,FCA22N60N 凭借其高电压、低导通电阻以及优秀的开关性能,广泛适用于各种功率转换、电机控制和保护电路等领域。在选择具体应用场景时,需根据实际需求考虑散热设计、驱动条件及系统兼容性等因素。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 22A TO-3PNMOSFET 600V N-Channel SupreMOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 22 A |
| Id-连续漏极电流 | 22 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FCA22N60NSupreMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FCA22N60N |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 205 W |
| Pd-功率耗散 | 205 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 140 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 140 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 16.7 s |
| 下降时间 | 4 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1950pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 165 毫欧 @ 11A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-3PN |
| 典型关闭延迟时间 | 49 ns |
| 功率-最大值 | 205W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.401 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
| 封装/箱体 | TO-3PN-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 22 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/Fairchild/FCPF22N60NT.html |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 22A (Tc) |
| 系列 | FCA22N60N |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |