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Datasheet下载- 型号： SI5435BDC-T1-E3
- 制造商： Vishay
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SI5435BDC-T1-E3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI5435BDC-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5435BDC-T1-E3价格参考。VishaySI5435BDC-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 30V 4.3A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET™。您可以下载SI5435BDC-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI5435BDC-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI5435BDC-T1-E3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特点。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：用于降压或升压电路中，作为主开关或同步整流MOSFET，提高效率并降低功耗。 - 负载开关：在便携式设备中用作负载开关，实现快速开启/关闭功能，同时减少电流损耗。 - 电池保护：在锂电池管理系统中，用于过流、短路保护以及防止反向充电。 2. 电机驱动 - 小型电机控制：适用于消费电子、家用电器中的小型直流电机驱动，提供高效的功率传输和精确的电流控制。 - H桥电路：用于双向电机控制，支持正转和反转操作。 3. 通信设备 - 基站电源：在通信基站中用作功率级开关，满足高效能和高可靠性的要求。 - 信号切换：在射频（RF）和模拟信号路径中实现快速切换。 4. 消费电子产品 - 笔记本电脑和智能手机：用于内部电源分配网络，优化能耗并延长电池寿命。 - USB充电端口：在USB-C PD（Power Delivery）应用中，作为保护和控制开关，确保安全充电。 5. 工业自动化 - 可编程逻辑控制器（PLC）：用于输入/输出模块中的开关功能，驱动传感器或执行器。 - 伺服系统：在工业伺服驱动器中提供高效的功率转换。 6. 汽车电子 - 车载信息娱乐系统：用于音频放大器和其他子系统的电源管理。 - LED照明：在汽车内外部LED灯中作为驱动开关，提供稳定的电流输出。 SI5435BDC-T1-E3 凭借其出色的性能参数（如低Rds(on)、高电流能力、快速开关速度），非常适合需要高效功率转换和低热损耗的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8MOSFET 30 Volt 5.9 Amp 2.5W |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.3 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI5435BDC-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI5435BDC-T1-E3SI5435BDC-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.3 W |
| Pd-功率耗散 | 1.3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 45 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 45 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 45 毫欧 @ 4.3A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 1206-8 ChipFET™ |
| 其它名称 | SI5435BDC-T1-E3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 32 ns |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 封装/箱体 | 1206-8 ChipFET |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.3A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI5435BDC-E3 |
