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- 型号： IRF630BTSTU_FP001
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF630BTSTU_FP001由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF630BTSTU_FP001价格参考。Fairchild SemiconductorIRF630BTSTU_FP001封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF630BTSTU_FP001参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF630BTSTU_FP001 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF630BTSTU_FP001 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，属于晶体管中的功率MOSFET类别。该器件常用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制、负载开关和逆变器等电力电子应用中。 其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：用于电源转换系统中，作为高频开关元件，提高转换效率并减小电源体积。 2. DC-DC转换器：在升压（Boost）或降压（Buck）电路中作为主开关器件，实现电压调节。 3. 电机驱动：用于控制直流电机或步进电机的启停与调速，适用于工业自动化和消费类电子产品。 4. 负载开关：作为电子开关控制高功率负载的通断，如LED照明、加热元件等。 5. 逆变器与UPS系统：在不间断电源或太阳能逆变器中用于将直流电转换为交流电。 该MOSFET具备较高的耐压能力（Vds=200V）和良好的导通电阻特性，适合中高功率应用场景，封装形式便于散热设计，适用于多种工业与消费类电子产品中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 9A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRF630BTSTU_FP001 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 720pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 400 毫欧 @ 4.5A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 功率-最大值 | 72W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Tc） |
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