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Datasheet下载- 型号： SSM3K35MFV(TPL3)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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SSM3K35MFV(TPL3)产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SSM3K35MFV(TPL3)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM3K35MFV(TPL3)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM3K35MFV(TPL3)封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 20V 180mA（Ta） 150mW（Ta） VESM。您可以下载SSM3K35MFV(TPL3)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SSM3K35MFV(TPL3) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage（东芝半导体与存储）生产的SSM3K35MFV(TPL3)是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。其主要应用场景包括： 1. 开关电源：该型号的MOSFET适用于各种开关电源设计，例如DC-DC转换器、AC-DC适配器和充电器。由于其低导通电阻（Rds(on)），可以有效降低功率损耗，提高效率。 2. 电机驱动：SSM3K35MFV(TPL3)可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中。它能够快速响应并提供稳定的电流输出，适合家用电器、玩具和自动化设备中的电机控制。 3. 负载开关：在便携式电子设备中，如智能手机、平板电脑和其他电池供电产品，这种MOSFET可以用作负载开关，实现对不同功能模块的动态供电管理，从而延长电池寿命。 4. 信号切换：在通信设备或音频处理系统中，该器件可作为信号切换元件使用，确保高频率信号的准确传输同时减少失真。 5. 保护电路：利用其快速开关特性和耐压能力，SSM3K35MFV(TPL3)可以构建过流保护、短路保护等安全机制，保障整个电路系统的稳定运行。 6. LED驱动：对于大功率LED照明应用，这款MOSFET能精确控制电流，保证LED亮度均匀且节能高效。 总之，SSM3K35MFV(TPL3)凭借其优异的电气性能和可靠性，在消费类电子产品、工业控制以及汽车电子等领域都有广泛的应用前景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH SGL 20V 0.18A VESM |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，1.2V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K35MFV点击此处下载产品Datasheet |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | SSM3K35MFV(TPL3) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9.5pF @ 3V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3 欧姆 @ 50mA，4V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30223 |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | VESM |
| 其它名称 | SSM3K35MFV (TPL3) |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-723 |
| 标准包装 | 8,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 180mA （Ta） |
