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Datasheet下载- 型号： IRF6645TR1PBF
- 制造商： International Rectifier
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IRF6645TR1PBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6645TR1PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6645TR1PBF价格参考。International RectifierIRF6645TR1PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 5.7A（Ta），25A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET™ SJ。您可以下载IRF6645TR1PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF6645TR1PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRF6645TR1PBF的晶体管，属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）- 单个类别，广泛应用于需要高效功率控制的电子系统中。 该MOSFET的主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）等，具备高效率和低导通电阻特性，有助于提高电源转换效率并减少发热。 2. 电机控制：在电动工具、电动车、工业自动化设备中作为电机驱动开关，具备快速开关能力和高耐压特性，适合高频应用。 3. 负载开关与继电器替代：由于其低导通电阻和高可靠性，可用于替代传统机械继电器，在智能电表、电池管理系统中实现更高效的负载切换。 4. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）和太阳能逆变器中，作为功率开关元件，支持高效能电能转换。 5. 汽车电子：适用于车载电源系统、车身控制模块等，符合AEC-Q101汽车级标准，具备良好的稳定性和耐环境能力。 该器件采用TO-252（DPAK）封装，适合表面贴装，具备良好的热性能和空间利用率，适用于多种中功率应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFETMOSFET MOSFT 100V 25A 35mOhm 14nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 5.7 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF6645TR1PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF6645TR1PBF |
| PCN其它 | |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 42 W |
| Pd-功率耗散 | 42 W |
| Qg-GateCharge | 14 nC |
| Qg-栅极电荷 | 14 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 28 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 28 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.9 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.9 V |
| 上升时间 | 5 ns |
| 下降时间 | 5.1 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.9V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 890pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 35 毫欧 @ 5.7A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录绘图 |
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| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ SJ |
| 其它名称 | IRF6645TR1PBFCT |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 SJ |
| 封装/箱体 | DirectFET-7 SJ |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 7.4 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.7A （Ta）， 25A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf6645.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6645.spi |
| 配用 | /product-detail/zh/IRAUDAMP5/IRAUDAMP5-ND/1894137/product-detail/zh/IRAUDAMP4/IRAUDAMP4-ND/1530709 |
| 配置 | Single |
