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  • 型号: FDP8440
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDP8440产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDP8440由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP8440价格参考。Fairchild SemiconductorFDP8440封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 40V 100A(Tc) 306W(Tc) TO-220-3。您可以下载FDP8440参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDP8440 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的FDP8440是一款N沟道增强型功率MOSFET,主要应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。以下是其典型应用场景:

1. 电源管理:FDP8440常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电压调节模块(VRM)中,因其具有低导通电阻(Rds(on)),可有效减少功率损耗,提高整体效率。

2. 电机驱动:适用于小型直流电机或步进电机驱动电路,能够快速切换并承受高电流负载,确保电机运行平稳且效率高。

3. 电池管理:在电池充电和保护电路中使用,例如锂电池保护板,用于控制充电电流和防止过放电。

4. 负载开关:作为负载开关用于各种电子设备中,实现对不同负载的快速开启和关闭,同时减少能量损失。

5. 逆变器和UPS系统:在不间断电源(UPS)和太阳能逆变器中,FDP8440可用于高频开关应用,提供稳定可靠的性能。

6. 汽车电子:可用于汽车电子中的各种开关应用,如LED照明控制、电动车窗及座椅调节等,满足车载环境对可靠性和耐久性的要求。

7. 消费类电子产品:广泛应用于笔记本电脑适配器、平板电脑和其他便携式设备的充电和电源管理模块中。

FDP8440凭借其出色的电气特性和热性能,在上述领域中表现出优异的性能,是许多设计工程师的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 40V 100A TO-220MOSFET 40V N-Channel Power Trench

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

277 A

Id-连续漏极电流

277 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP8440PowerTrench®

数据手册

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产品型号

FDP8440

Pd-PowerDissipation

306 W

Pd-功率耗散

306 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

2.2 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

2.2 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

40 V

Vds-漏源极击穿电压

40 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

130 ns

下降时间

290 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

24740pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

450nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.2 毫欧 @ 80A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220

典型关闭延迟时间

435 ns

功率-最大值

306W

包装

管件

单位重量

1.800 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

100A (Tc)

系列

FDP8440

通道模式

Enhancement

配置

Single

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