| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRL1004L由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRL1004L价格参考。International RectifierIRL1004L封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRL1004L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRL1004L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRL1004L的晶体管属于MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别,属于单管配置。该器件是一种N沟道增强型MOSFET,广泛应用于需要高效开关和功率控制的电路中。 IRL1004L具有低导通电阻(Rds(on))、高电流承载能力和快速开关特性,适合用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、马达控制以及电池供电设备等场景。由于其逻辑电平栅极驱动特性,该MOSFET可直接由微控制器或数字电路驱动,适用于工业自动化、消费电子、通信设备和汽车电子等多个领域。 例如,在电源供应器中,IRL1004L可用于高效能同步整流;在电动工具或小型马达控制系统中,它可作为功率开关元件;在电动车或储能系统中,则可用于电池充放电管理电路。总之,该器件适用于需要高效、快速开关和良好热性能的中高功率应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 130A TO-262 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | IRL1004L |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5330pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 100nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6.5 毫欧 @ 78A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 供应商器件封装 | TO-262 |
| 其它名称 | *IRL1004L |
| 功率-最大值 | 3.8W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 130A (Tc) |