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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFDC20由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFDC20价格参考。VishayIRFDC20封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFDC20参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFDC20 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFDC20 是 Vishay Siliconix(现为 Vishay Microelectronics)生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于晶体管中的 FET 类别。该器件常用于中低功率的开关应用中。 主要特点: - N 沟道 MOSFET - 适合中低功率应用 - 封装形式通常为 DPAK(TO-252),便于散热和安装 - 具有较低的导通电阻(Rds(on)),提高效率 - 快速开关特性,适合高频应用 应用场景: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、同步整流器等电源模块中,提高能效。 2. 电机控制:在小型电机驱动电路中作为开关元件,控制电机启停或调速。 3. 负载开关:用于电池供电设备中控制负载的通断,延长电池寿命。 4. 汽车电子:如车灯控制、电动窗、风扇等控制系统中。 5. 工业控制:用于PLC、继电器替代、自动控制系统中的功率开关。 6. 消费类电子产品:如充电器、适配器、电源插座等需要高效开关的设备。 IRFDC20 凭借其高可靠性和良好的热性能,在多种电子系统中作为关键的功率开关元件使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 320MA 4-DIP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91142 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRFDC20 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.4 欧姆 @ 190mA,10V |
| 供应商器件封装 | 4-DIP,Hexdip,HVMDIP |
| 其它名称 | *IRFDC20 |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | 4-DIP(0.300",7.62mm) |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 320mA (Ta) |