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型号： BSS123NH6327XTSA1
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BSS123NH6327XTSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS123NH6327XTSA1价格参考￥0.30-￥0.30。InfineonBSS123NH6327XTSA1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 100V 190mA（Ta） 500mW（Ta） SOT-23-3。您可以下载BSS123NH6327XTSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSS123NH6327XTSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies 的 BSS123NH6327XTSA1 是一款N沟道MOSFET，属于小信号MOSFET类别，广泛应用于低电压、低功耗的开关和信号控制场景。其主要应用场景包括：

1. 电源管理：常用于便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的电源开关或负载开关，实现对不同模块的供电控制，以降低待机功耗。

2. 信号切换：适用于模拟和数字信号的切换电路，例如在多路复用器、接口电平转换电路中作为高速开关使用。

3. LED驱动：可用于小型LED灯的开关控制，尤其在需要快速响应和低驱动电流的应用中表现良好。

4. 消费类电子产品：常见于家用电器、遥控器、无线耳机等设备中，用于控制传感器、显示屏背光或通信模块的通断。

5. 工业控制与物联网设备：在传感器模块、微控制器外围电路中作为驱动元件，实现低功耗、高效率的信号控制。

该器件具有低栅极电荷、快速开关特性以及良好的热稳定性，适合高频操作和空间受限的设计。其SOT-23封装便于表面贴装，适用于高密度PCB布局。总体而言，BSS123NH6327XTSA1是一款可靠且高效的MOSFET，特别适合对尺寸和功耗敏感的现代电子系统。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
ChannelMode	Enhancement
Id-ContinuousDrainCurrent	190 mA
Id-连续漏极电流	190 mA
品牌	Infineon Technologies
产品目录	半导体
描述	MOSFET SMALL SIGNAL N-CH
产品分类	分离式半导体
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS
产品系列	晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSS123NH6327XTSA1
产品型号	BSS123NH6327XTSA1
Pd-PowerDissipation	0.5 W
Pd-功率耗散	500 mW
Qg-GateCharge	0.6 nC
Qg-栅极电荷	0.6 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	6 Ohms
RdsOn-漏源导通电阻	6 Ohms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	100 V
Vds-漏源极击穿电压	100 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	1.4 V
Vgsth-栅源极阈值电压	1.4 V
上升时间	3.2 ns
下降时间	22 ns
产品种类	MOSFET
典型关闭延迟时间	7.4 ns
商标	Infineon Technologies
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/箱体	SOT-23-3
工厂包装数量	3000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
正向跨导-最小值	0.41 S
系列	BSS123
通道模式	Enhancement
配置	Single
零件号别名	SP000870646