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  • 型号: FQP32N20C
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FQP32N20C产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQP32N20C由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP32N20C价格参考。Fairchild SemiconductorFQP32N20C封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 200V 28A(Tc) 156W(Tc) TO-220AB。您可以下载FQP32N20C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQP32N20C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQP32N20C 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。其主要应用场景包括但不限于以下领域:

1. 开关电源 (SMPS):  
   FQP32N20C 的高电压耐受能力(最大漏源极电压 VDS = 200V)和低导通电阻(RDS(on) 典型值为 0.18Ω @ VGS=10V)使其非常适合用于开关电源中的功率开关。它可以高效地控制电流的开关状态,从而实现电压转换和稳压功能。

2. 电机驱动:  
   在小型直流电机或步进电机驱动中,FQP32N20C 可作为功率开关或 H 桥电路的一部分,用于控制电机的启动、停止、正转和反转。其低 RDS(on) 可减少功率损耗,提高效率。

3. 逆变器和变频器:  
   该 MOSFET 可用于逆变器和变频器电路中,将直流电转换为交流电,或者调节输出频率和电压,广泛应用于家用电器(如空调、冰箱等)和工业设备中。

4. 负载切换:  
   在需要频繁切换负载的应用中(如 LED 照明、汽车电子),FQP32N20C 可以快速、可靠地接通或断开负载,同时保持较低的功耗。

5. 电池管理系统 (BMS):  
   该器件可用于电池保护电路中,作为充放电路径的开关元件,确保电池在过流、过压或短路情况下得到保护。

6. 音频放大器:  
   在某些功率音频放大器设计中,FQP32N20C 可用作输出级的功率开关,提供高效的音频信号放大。

7. 继电器替代方案:  
   由于其快速开关特性和可靠性,FQP32N20C 可以替代传统的机械继电器,用于需要高频开关或长寿命的应用场景。

总结来说,FQP32N20C 凭借其高耐压、低导通电阻和良好的热性能,适用于各种需要高效功率控制的场合,特别是在中小功率应用中表现出色。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 200V 28A TO-220MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

28 A

Id-连续漏极电流

28 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP32N20CQFET®

数据手册

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产品型号

FQP32N20C

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

156 W

Pd-功率耗散

156 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

82 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

82 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

200 V

Vds-漏源极击穿电压

200 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

270 ns

下降时间

210 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2200pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

110nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

82 毫欧 @ 14A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220

其它名称

FQP32N20C-ND
FQP32N20CFS

典型关闭延迟时间

245 ns

功率-最大值

156W

包装

管件

单位重量

1.800 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

20 S

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

28A (Tc)

系列

FQP32N20C

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

FQP32N20C_NL

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