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FQP32N20C产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP32N20C由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP32N20C价格参考。Fairchild SemiconductorFQP32N20C封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 200V 28A(Tc) 156W(Tc) TO-220AB。您可以下载FQP32N20C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQP32N20C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQP32N20C 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。其主要应用场景包括但不限于以下领域: 1. 开关电源 (SMPS): FQP32N20C 的高电压耐受能力(最大漏源极电压 VDS = 200V)和低导通电阻(RDS(on) 典型值为 0.18Ω @ VGS=10V)使其非常适合用于开关电源中的功率开关。它可以高效地控制电流的开关状态,从而实现电压转换和稳压功能。 2. 电机驱动: 在小型直流电机或步进电机驱动中,FQP32N20C 可作为功率开关或 H 桥电路的一部分,用于控制电机的启动、停止、正转和反转。其低 RDS(on) 可减少功率损耗,提高效率。 3. 逆变器和变频器: 该 MOSFET 可用于逆变器和变频器电路中,将直流电转换为交流电,或者调节输出频率和电压,广泛应用于家用电器(如空调、冰箱等)和工业设备中。 4. 负载切换: 在需要频繁切换负载的应用中(如 LED 照明、汽车电子),FQP32N20C 可以快速、可靠地接通或断开负载,同时保持较低的功耗。 5. 电池管理系统 (BMS): 该器件可用于电池保护电路中,作为充放电路径的开关元件,确保电池在过流、过压或短路情况下得到保护。 6. 音频放大器: 在某些功率音频放大器设计中,FQP32N20C 可用作输出级的功率开关,提供高效的音频信号放大。 7. 继电器替代方案: 由于其快速开关特性和可靠性,FQP32N20C 可以替代传统的机械继电器,用于需要高频开关或长寿命的应用场景。 总结来说,FQP32N20C 凭借其高耐压、低导通电阻和良好的热性能,适用于各种需要高效功率控制的场合,特别是在中小功率应用中表现出色。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 200V 28A TO-220MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 28 A |
Id-连续漏极电流 | 28 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP32N20CQFET® |
数据手册 | |
产品型号 | FQP32N20C |
PCN封装 | |
Pd-PowerDissipation | 156 W |
Pd-功率耗散 | 156 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 82 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 82 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 270 ns |
下降时间 | 210 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2200pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 82 毫欧 @ 14A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220 |
其它名称 | FQP32N20C-ND |
典型关闭延迟时间 | 245 ns |
功率-最大值 | 156W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 1.800 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 20 S |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 28A (Tc) |
系列 | FQP32N20C |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | FQP32N20C_NL |