【晶体管 - FET，MOSFET - 单_IRL6342TRPBF】封装/厂家_IRL6342TRPBF中文资料_价格

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详细数据请看参考数据手册

型号： IRL6342TRPBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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IRL6342TRPBF产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRL6342TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRL6342TRPBF价格参考。International RectifierIRL6342TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 30V 9.9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO。您可以下载IRL6342TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRL6342TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
Ciss-输入电容	1.025 nF
描述	MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOICMOSFET MOSFT 30V 9.9A 14.6mOhm 2.5V cpbl
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	9.9 A
Id-连续漏极电流	9.9 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRL6342TRPBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRL6342TRPBF
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	2.5 W
Pd-功率耗散	2.5 W
Qg-GateCharge	11 nC
Qg-栅极电荷	11 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	14.6 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	15 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	12 V
Vgs-栅源极击穿电压	12 V
Vgsth-栅源极阈值电压	1.1 V
上升时间	12 ns
下降时间	14 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1.1V @ 10µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1025pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	11nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	14.6 毫欧 @ 9.9A，4.5V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	8-SO
其它名称	IRL6342TRPBF-ND IRL6342TRPBFTR
典型关闭延迟时间	33 ns
功率-最大值	2.5W
包装	带卷（TR）
商标	International Rectifier
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装/箱体	SO-8
工厂包装数量	4000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	4,000
正向跨导-最小值	38 S
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	9.9A （Ta）
设计资源	http://www.irf.com/product-info/models/saber/irl6342pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irl6342pbf.spi
配置	Single