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产品简介:
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2V7002LT3G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,常用于低电压、低电流的开关和逻辑电路中。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于便携式电子设备(如手机、平板、笔记本电脑)中的电源开关、负载开关或电池管理系统,因其低导通电阻和小封装,适合高效节能设计。 2. 逻辑电路与信号切换:在数字电路中作为逻辑电平转换或信号开关使用,适用于低功耗逻辑控制应用。 3. LED驱动:用于小型LED背光或指示灯的开关控制,特别是在需要低电流驱动的场合。 4. 传感器接口电路:用于传感器信号的通断控制,如温度、光感、压力传感器等,起到电子开关的作用。 5. 通信设备:在通信模块中作为射频开关或低功耗控制元件,适用于无线模块、蓝牙设备等。 该器件采用SOT-23封装,体积小、成本低,适合高密度PCB布局,广泛应用于消费类电子产品和工业控制领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 60V .115A |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | 2V7002LT3G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7.5 欧姆 @ 500mA,10V |
供应商器件封装 | SOT-23 |
功率-最大值 | 225mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
标准包装 | 10,000 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 115mA (Tc) |