【未分类_IXTH13N110】封装/厂家_IXTH13N110中文资料_价格

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型号： IXTH13N110
制造商： IXYS
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IXTH13N110由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTH13N110价格参考。IXYSIXTH13N110封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IXTH13N110参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTH13N110 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXYS品牌的IXTH13N110是一款单通道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于高压N沟道增强型MOSFET。该型号的主要应用场景包括：

1. 开关电源（SMPS）：  
   IXTH13N110具有高达1100V的击穿电压，适合用于开关电源中的高压开关应用，例如AC-DC转换器、DC-DC转换器和功率因数校正（PFC）电路。

2. 电机驱动：  
   由于其高耐压特性和低导通电阻（典型值为2.8Ω），该器件适用于工业电机驱动和家用电器中的电机控制电路，尤其是在需要高压驱动的场景中。

3. 逆变器：  
   常用于太阳能逆变器或不间断电源（UPS）系统中，作为高压开关元件实现直流到交流的转换。

4. 固态继电器（SSR）：  
   可用作固态继电器的核心开关元件，替代传统机械继电器，提供更高的可靠性和更长的使用寿命。

5. 负载切换和保护：  
   在高压环境下用于负载切换和过流保护，例如电力分配系统中的负载管理。

6. 脉宽调制（PWM）控制器：  
   适用于高压PWM控制电路，如音频放大器或LED驱动器中的开关元件。

IXTH13N110的高耐压能力和良好的热性能使其非常适合在高电压、高效率的应用环境中使用，同时其紧凑的封装形式也便于集成到各种电子设备中。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 1.1KV 13A TO-247AD
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	IXYS
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	IXTH13N110
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	MegaMOS™
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	5650pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	195nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	920 毫欧 @ 500mA，10V
供应商器件封装	TO-247 （IXTH）
功率-最大值	360W
包装	管件
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-247-3
标准包装	30
漏源极电压(Vdss)	1100V（1.1kV）
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	13A （Tc）