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Datasheet下载- 型号： TK40P03M1(T6RDS-Q)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK40P03M1(T6RDS-Q)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK40P03M1(T6RDS-Q)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK40P03M1(T6RDS-Q)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TK40P03M1(T6RDS-Q)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK40P03M1(T6RDS-Q) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 TK40P03M1(T6RDS-Q) 的 Toshiba Semiconductor and Storage 品牌 MOSFET，属于功率场效应晶体管（FET），主要应用于需要高效功率控制的电子设备中。以下是其典型应用场景： 1. 电源管理系统：适用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）等，因其低导通电阻（Rds(on)）可减少功率损耗，提高能效。 2. 电机驱动：用于电动工具、工业自动化设备中的电机控制电路，具备高电流承载能力，适合高频开关应用。 3. 汽车电子系统：如车载充电系统、电池管理系统（BMS）或车身控制模块，适用于对可靠性和效率要求较高的车载环境。 4. 消费类电子产品：用于笔记本电脑、游戏设备或高性能电源适配器中，支持紧凑化设计和高效能运作。 5. 工业控制设备：如PLC、伺服驱动器和自动化控制模块，适合高稳定性和耐久性的工业应用场景。 该MOSFET采用表面贴装封装（如SOP或类似），适合自动化生产，便于散热设计。其参数特性（如40V耐压、P沟道设计）使其在中高功率应用中表现出色，兼顾性能与可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 40A DPAK-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK40P03M1点击此处下载产品Datasheet |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | TK40P03M1(T6RDS-Q) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1150pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10.8 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | TK40P03M1T6RDSQ |
| 功率-最大值 | 33W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 40A （Ta） |
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