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  • 型号: IRFP23N50LPBF
  • 制造商: Vishay
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IRFP23N50LPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFP23N50LPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFP23N50LPBF价格参考。VishayIRFP23N50LPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 23A(Tc) 370W(Tc) TO-247-3。您可以下载IRFP23N50LPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFP23N50LPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRFP23N50LPBF 是 Vishay Siliconix 生产的一款 N 沱道增强型功率 MOSFET,属于晶体管中的 FET 类别。该器件广泛应用于需要高效、高可靠性的电力电子系统中。

主要应用场景包括:

1. 电源转换设备:如开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、AC-DC 适配器等,用于高效的电能转换和调节。

2. 电机驱动:在直流电机或步进电机的控制电路中作为开关元件,适用于工业自动化设备和电动工具。

3. 逆变器与UPS系统:用于不间断电源(UPS)和太阳能逆变器中,实现直流电到交流电的高效转换。

4. 照明系统:如高强度放电灯(HID)镇流器或LED驱动电源中,提供稳定可靠的功率控制。

5. 汽车电子:适用于车载电源系统、电池管理系统(BMS)及其他高可靠性要求的汽车应用。

该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压(500V)和良好的热稳定性,适合于高频率开关操作,有助于提高系统效率并减小散热设计复杂度。其封装形式为TO-247,便于安装和散热处理。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 500V 23A TO-247ACMOSFET N-Chan 500V 23 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

23 A

Id-连续漏极电流

23 A

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFP23N50LPBF-

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产品型号

IRFP23N50LPBFIRFP23N50LPBF

Pd-PowerDissipation

370 W

Pd-功率耗散

370 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

190 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

190 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

500 V

Vds-漏源极击穿电压

500 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

94 ns

下降时间

45 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3600pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

150nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

235 毫欧 @ 14A,10V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-247-3

其它名称

*IRFP23N50LPBF

典型关闭延迟时间

53 ns

功率-最大值

370W

功率耗散

370 W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

190 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

25

正向跨导-最小值

12 S

汲极/源极击穿电压

500 V

漏极连续电流

23 A

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

23A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

+/- 30 V

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