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IRFP23N50LPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFP23N50LPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFP23N50LPBF价格参考。VishayIRFP23N50LPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 23A(Tc) 370W(Tc) TO-247-3。您可以下载IRFP23N50LPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFP23N50LPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFP23N50LPBF 是 Vishay Siliconix 生产的一款 N 沱道增强型功率 MOSFET,属于晶体管中的 FET 类别。该器件广泛应用于需要高效、高可靠性的电力电子系统中。 主要应用场景包括: 1. 电源转换设备:如开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、AC-DC 适配器等,用于高效的电能转换和调节。 2. 电机驱动:在直流电机或步进电机的控制电路中作为开关元件,适用于工业自动化设备和电动工具。 3. 逆变器与UPS系统:用于不间断电源(UPS)和太阳能逆变器中,实现直流电到交流电的高效转换。 4. 照明系统:如高强度放电灯(HID)镇流器或LED驱动电源中,提供稳定可靠的功率控制。 5. 汽车电子:适用于车载电源系统、电池管理系统(BMS)及其他高可靠性要求的汽车应用。 该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压(500V)和良好的热稳定性,适合于高频率开关操作,有助于提高系统效率并减小散热设计复杂度。其封装形式为TO-247,便于安装和散热处理。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 500V 23A TO-247ACMOSFET N-Chan 500V 23 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 23 A |
Id-连续漏极电流 | 23 A |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFP23N50LPBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRFP23N50LPBFIRFP23N50LPBF |
Pd-PowerDissipation | 370 W |
Pd-功率耗散 | 370 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 190 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 190 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 94 ns |
下降时间 | 45 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3600pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 150nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 235 毫欧 @ 14A,10V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-247-3 |
其它名称 | *IRFP23N50LPBF |
典型关闭延迟时间 | 53 ns |
功率-最大值 | 370W |
功率耗散 | 370 W |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 190 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 25 |
正向跨导-最小值 | 12 S |
汲极/源极击穿电压 | 500 V |
漏极连续电流 | 23 A |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 23A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | +/- 30 V |