Datasheet下载- 型号： SIR168DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIR168DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIR168DP-T1-GE3价格参考。VishaySIR168DP-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIR168DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIR168DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIR168DP-T1-GE3 是一款P沟道增强型MOSFET，采用1.4W、1.5mm × 1.5mm DFN1506-6 封装，具有低导通电阻和高功率密度，适用于空间受限的便携式电子设备。其主要应用场景包括： 1. 便携式电子产品：广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，作为电源管理开关或负载开关，实现高效能、低功耗控制。 2. 电池供电系统：在锂电池保护电路中用作充放电控制开关，提供过流、短路保护，确保电池使用安全。 3. DC-DC转换器：用于同步整流或电源路径管理，提升电源转换效率，降低能量损耗。 4. 热插拔与电源开关应用：适用于需要软启动和浪涌电流限制的电路，防止上电冲击损坏后续电路。 5. 电机驱动与负载控制：在小型直流电机或继电器驱动电路中作为开关元件，实现快速响应和低导通损耗。 该器件具备优良的热性能和可靠性，适合高密度表面贴装，满足消费电子、工业控制及便携式医疗设备等领域对小型化和高效率的需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SIR168DP-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2040pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 75nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.4 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 功率-最大值 | 34.7W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 40A （Tc） |
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