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产品简介:
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ON Semiconductor(安森美半导体)的FCP7N60_F080是一款N沟道MOSFET晶体管,广泛应用于多种电力电子领域。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS):FCP7N60_F080因其高电压耐受能力(高达600V)和低导通电阻特性,非常适合用于开关电源中的高频开关应用。它可以高效地控制功率转换过程,减少能量损耗。 2. 电机驱动:该MOSFET适用于各种电机驱动应用,包括家用电器、工业设备和电动工具中的电机控制。其快速开关特性和低导通电阻有助于提高效率并降低发热。 3. 逆变器:在太阳能逆变器和其他类型的电力逆变器中,FCP7N60_F080可以用来实现直流到交流的转换,确保高效的能量传输和稳定的输出。 4. DC-DC转换器:这款MOSFET可用于汽车电子系统或工业设备中的DC-DC转换器,提供稳定且高效的电压转换。 5. 负载切换:在需要频繁开启和关闭大电流负载的应用中,如LED照明系统或电动汽车充电设备,FCP7N60_F080能够可靠地执行负载切换操作。 6. 保护电路:由于其出色的耐用性和过流保护能力,该器件常被用于设计过压、过流保护电路,以增强系统的安全性和稳定性。 综上所述,FCP7N60_F080凭借其高性能参数和可靠性,在众多需要高效功率管理的场景中发挥着重要作用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 7A TO-220 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FCP7N60_F080 |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | SuperFET™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 920pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 600 毫欧 @ 3.5A,10V |
供应商器件封装 | TO-220 |
功率-最大值 | 83W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7A (Tc) |