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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR8103TR由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR8103TR价格参考。International RectifierIRLR8103TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRLR8103TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLR8103TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRLR8103TR的是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管中的FET类别。该器件为单N沟道MOSFET,具有低导通电阻、高效率和良好热性能的特点,适用于多种功率电子应用。 IRLR8103TR的主要应用场景包括: 1. 电源管理:广泛用于DC-DC转换器、同步整流器和电源开关电路中,适用于笔记本电脑、服务器和通信设备的电源模块。 2. 负载开关和电机控制:由于其快速开关特性和低导通损耗,该MOSFET适用于电机驱动、风扇控制和工业自动化系统中的负载开关应用。 3. 电池供电设备:在电池管理系统(BMS)和便携式电子产品(如移动电源、电动工具)中,用于高效能电能控制和电池保护。 4. 汽车电子:用于车载电源系统、车身控制模块(如车窗、座椅调节)和LED照明驱动电路,满足汽车应用中对可靠性和效率的要求。 该器件采用TSDSON封装,具备良好的散热能力,适用于空间受限且需要高效率的高密度电路设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 89A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRLR8103TR |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7 毫欧 @ 15A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 89W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 89A (Ta) |