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- 型号： CMPDM303NH TR
- 制造商： Central Semiconductor Corp
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CMPDM303NH TR由Central Semiconductor Corp设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CMPDM303NH TR价格参考。Central Semiconductor CorpCMPDM303NH TR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CMPDM303NH TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CMPDM303NH TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CMPDM303NH TR 是由 Central Semiconductor Corp 生产的一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道单MOSFET器件。该产品采用SOT-23封装，具有体积小、开关速度快、导通电阻低等特点，适用于空间受限且对效率要求较高的便携式电子设备。 其典型应用场景包括：便携式消费类电子产品中的电源管理，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池充电与放电控制；在DC-DC转换器中作为开关元件，用于提升电源转换效率；在LED驱动电路中实现恒流或开关控制；还可用于小型电机驱动、传感器开关以及各类低电压、低功率的开关电源系统。 由于其最大漏源电压为30V，连续漏极电流可达5.1A（具体值依条件而定），适合工作在中低功率环境下。此外，该器件支持表面贴装工艺，便于自动化生产，广泛应用于需要高可靠性和紧凑设计的工业控制、通信模块和家用电器中。 综上，CMPDM303NH TR是一款适用于便携式设备、电源管理和小型电子系统的高性能N沟道MOSFET，特别适合对尺寸和能效有较高要求的应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 12V 2.4A SOT-23F |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Central Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CMPDM303NH TR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 590pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 40 毫欧 @ 1.8A， 4.5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23F |
| 其它名称 | CMPDM303NH DKR |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 扁平引线 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.6A （Ta） |
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