ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > IRF7103TRPBF
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Datasheet下载- 型号： IRF7103TRPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7103TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7103TRPBF价格参考。International RectifierIRF7103TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 50V 3A 2W 表面贴装 8-SO。您可以下载IRF7103TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7103TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRF7103TRPBF 是一款P沟道MOSFET阵列，采用SOT-23封装，具有低导通电阻和高开关效率，适用于空间受限的便携式电子设备。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：广泛用于电池供电设备中的负载开关或电源通断控制，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，实现高效节能。 2. DC-DC转换器：在同步整流或电压调节电路中作为开关元件，提升转换效率，常见于小型电源模块和嵌入式系统。 3. 电机驱动：适用于微型电机的驱动控制，如微型风扇、打印机和家用电器中的小功率电机控制电路。 4. 信号切换与逻辑控制：可用于模拟开关或数字信号通断控制，在通信模块和接口电路中实现信号路径切换。 5. 保护电路：常用于反向电流阻断、过流保护和极性反接保护电路，提升系统可靠性。 IRF7103TRPBF具备良好的热稳定性和可靠性，适合高密度PCB布局，广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子中的辅助电路。其“Pb-free”环保设计也符合RoHS标准，适用于对环保要求较高的产品。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 50V 3A 8-SOICMOSFET MOSFT DUAL NCh 50V 3.0A |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3 A |
| Id-连续漏极电流 | 3 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7103TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7103TRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Qg-GateCharge | 12 nC |
| Qg-栅极电荷 | 12 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 200 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 200 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 50 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 50 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 290pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 130 毫欧 @ 3A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | IRF7103PBFDKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 功率耗散 | 2 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 200 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 12 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 50 V |
| 漏极连续电流 | 3 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A |
| 配置 | Dual |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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