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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SB1124S-TD-E由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SB1124S-TD-E价格参考。ON Semiconductor2SB1124S-TD-E封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 50V 3A 150MHz 500mW 表面贴装 PCP。您可以下载2SB1124S-TD-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SB1124S-TD-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SB1124S-TD-E是安森美(ON Semiconductor)生产的一款PNP型双极结型晶体管(BJT),属于通用放大和开关应用的中功率晶体管。该器件常用于各类消费电子、工业控制和电源管理电路中。 典型应用场景包括: 1. 开关电路:作为电子开关用于控制继电器、LED、小型电机等负载,适用于低频开关操作,具备良好的饱和导通特性,降低功耗。 2. 信号放大:在音频设备或模拟信号处理电路中用作前置放大器,放大微弱信号,适合小信号线性放大需求。 3. 电源管理模块:在DC-DC转换器、稳压电源或恒流源电路中作为调整元件,配合其他器件实现电压或电流调节。 4. 消费类电子产品:广泛应用于电视、音响、机顶盒、家用电器等设备中的接口驱动与信号控制部分。 5. 工业控制:用于传感器信号调理、逻辑电平转换及小型执行机构的驱动电路。 该晶体管采用小型表面贴装封装(如SOT-223或类似),节省PCB空间,适合自动化贴片生产。其较高的直流电流增益和可靠的热稳定性,使其在中低功率场景中表现稳定。此外,产品符合RoHS环保标准,适用于对环保要求较高的现代电子产品设计。 综上,2SB1124S-TD-E是一款性能稳定的通用PNP晶体管,适用于多种中低频开关与放大场景,特别适合空间受限且需要可靠性能的嵌入式和消费类电子应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP BIPO 3A 50V PCP两极晶体管 - BJT BIP PNP 3A 50V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SB1124S-TD-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SB1124S-TD-E |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 700mV @ 100mA,2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 140 @ 100mA,2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | PCP |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | SC-62 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 500 mW |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 3A |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 系列 | 2SB1124 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 3 A |
| 频率-跃迁 | 150MHz |