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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IRLMS6702TR
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLMS6702TR由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLMS6702TR价格参考。International RectifierIRLMS6702TR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRLMS6702TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLMS6702TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRLMS6702TR 是一款N沟道功率MOSFET，属于单MOSFET器件，广泛应用于需要高效、低功耗开关的场合。其主要应用场景包括便携式电子设备、电池供电系统和负载开关电路。由于具备低导通电阻（RDS(on)）和优化的栅极电荷特性，该器件在降低导通损耗和提升能效方面表现优异，适用于电源管理模块中的DC-DC转换器和同步整流电路。 IRLMS6702TR采用小型封装（如PowerPAIR® 1.35x1.35），具有良好的热性能和空间利用率，适合对尺寸敏感的高密度PCB设计，常见于智能手机、平板电脑、可穿戴设备及物联网终端等消费类电子产品中。此外，它也用于电机驱动、LED驱动和热插拔电源控制等工业与汽车电子应用中，提供快速开关响应和可靠保护。 凭借Infineon在功率半导体领域的技术优势，IRLMS6702TR在保证高性能的同时，具备良好的抗静电能力和可靠性，满足AEC-Q101车规认证，适用于严苛工作环境下的稳定运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRLMS6702TR |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 210pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 200 毫欧 @ 1.6A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 供应商器件封装 | Micro6™（TSOP-6） |
| 其它名称 | *IRLMS6702TR |
| 功率-最大值 | 1.7W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-LSOP（0.063"，1.60mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.4A （Ta） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irlms6702.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irlms6702.spi |
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