Datasheet下载- 型号： NDD01N60T4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NDD01N60T4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDD01N60T4G价格参考。ON SemiconductorNDD01N60T4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NDD01N60T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NDD01N60T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NDD01N60T4G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件主要应用于需要高效、高频开关性能的电力电子系统中。 其主要应用场景包括： 1. 电源转换器：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器，适用于开关电源（SMPS）中，因其高开关速度和低导通电阻，有助于提高能效和减小电源体积。 2. 电机驱动：可用于小型电机控制电路中，如电动工具、风扇、泵类设备的驱动电路，实现对电机启停及转速的高效控制。 3. 负载开关：在需要频繁通断负载的系统中作为电子开关使用，如工业控制设备、自动化系统中的继电器替代方案。 4. 照明系统：如LED驱动电源中，用于调光控制或恒流调节，支持高频率PWM调光应用。 5. 消费类电子产品：如笔记本电脑、平板电源管理模块中，提供高效能的功率控制解决方案。 该MOSFET具备600V耐压、低导通电阻及高可靠性，适用于多种中低功率应用场景，尤其适合对效率和散热有要求的设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 1.5A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NDD01N60T4G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 160pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.5 欧姆 @ 200mA， 10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 46W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.5A （Tc） |
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