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IRFR48ZPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR48ZPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR48ZPBF价格参考。International RectifierIRFR48ZPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 55V 42A(Tc) 91W(Tc) D-PAK(TO-252AA)。您可以下载IRFR48ZPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR48ZPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRFR48ZPBF是一款N沟道功率MOSFET,其应用场景广泛,尤其适用于需要高效、低损耗和高可靠性的电力电子系统。以下是该型号的主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS):IRFR48ZPBF常用于开关电源中的功率级,如DC-DC转换器、AC-DC适配器等。其低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性有助于提高效率,减少能量损失。 2. 电机驱动:在电机控制应用中,IRFR48ZPBF可用于驱动直流电机、步进电机或无刷直流电机(BLDC)。它能够提供稳定的电流输出,支持PWM调速,并且具有良好的热性能,确保长时间稳定运行。 3. 电池管理系统(BMS):该MOSFET适用于电池保护电路,用于充放电控制、过流保护和短路保护等功能。其低导通电阻有助于降低功耗,延长电池寿命。 4. 逆变器:在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中,IRFR48ZPBF可以作为功率开关,将直流电转换为交流电。其优异的开关特性和低损耗特性使其成为理想选择。 5. 汽车电子:在汽车电子系统中,如电动助力转向(EPS)、电子驻车制动(EPB)等,IRFR48ZPBF可以提供高效的功率控制,满足汽车级可靠性要求。 6. 工业自动化:在工业自动化设备中,如PLC、伺服驱动器等,IRFR48ZPBF可用于控制负载电流,确保系统的稳定性和响应速度。 7. 消费电子产品:在便携式充电器、笔记本电脑适配器等消费电子产品中,IRFR48ZPBF可以提供高效的小型化解决方案,同时保持较低的发热量。 总之,IRFR48ZPBF凭借其出色的电气性能和可靠性,适用于各种需要高效功率控制的应用场景,特别是在对能效和可靠性有较高要求的电力电子系统中表现尤为突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 42A DPAKMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 40nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 62 A |
| Id-连续漏极电流 | 62 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR48ZPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR48ZPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 91 W |
| Pd-功率耗散 | 91 W |
| Qg-GateCharge | 40 nC |
| Qg-栅极电荷 | 40 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 11 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 11 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 61 ns |
| 下降时间 | 35 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1720pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 11 毫欧 @ 37A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | *IRFR48ZPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 功率-最大值 | 91W |
| 功率耗散 | 91 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 11 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 40 nC |
| 标准包装 | 75 |
| 正向跨导-最小值 | 120 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 55 V |
| 漏极连续电流 | 62 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 42A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfru48z.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfru48z.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |