Datasheet下载- 型号： PHU97NQ03LT,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PHU97NQ03LT,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHU97NQ03LT,127价格参考。NXP SemiconductorsPHU97NQ03LT,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PHU97NQ03LT,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PHU97NQ03LT,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc.生产的PHU97NQ03LT,127是一款晶体管 - FET，MOSFET - 单类型器件。以下是其可能的应用场景： 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS)：该MOSFET适用于各种开关电源设计，例如降压、升压或反激式转换器。其低导通电阻（Rds(on)）有助于提高效率并减少功率损耗。 - 直流-直流转换器：用于高效能的DC-DC转换应用中，特别是在需要高频开关和低功耗的场景下。 2. 电机驱动 - 小型电机控制：可用于驱动小型直流电机或步进电机，提供高效的开关和电流控制能力。 - H桥电路：在H桥或其他电机驱动拓扑中作为开关元件，实现电机正转、反转及速度调节功能。 3. 负载开关 - 电子设备中的负载切换：用于手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中，实现快速、高效的负载切换，同时保护电路免受过流或短路的影响。 4. 电池管理系统 (BMS) - 电池充放电保护：在锂电池或镍氢电池组中用作充放电路径的开关，确保电池安全运行并防止过充或过放。 - 均衡电路：用于多节电池组的电压均衡，通过精确控制每个电池单元的充放电过程来延长电池寿命。 5. 信号切换与保护 - 信号路由：在通信设备或工业控制系统中，用于信号路径的选择和切换。 - 过流保护：在电路中充当保护元件，当检测到过流时迅速切断电路以避免损坏其他组件。 6. 汽车电子 - 车载电子设备：如车窗升降器、座椅调节器、雨刷控制系统等，利用其高可靠性和耐高温特性。 - LED照明驱动：用于汽车内部或外部LED灯的驱动电路，提供稳定的电流输出并支持调光功能。 7. 消费类电子产品 - 家用电器：如风扇、水泵、空气净化器等设备中的电机控制和电源管理。 - 音频设备：用于D类放大器等音频电路中，作为开关元件以实现高效能音频信号处理。 总之，PHU97NQ03LT,127凭借其优异的电气特性和可靠性，广泛应用于各类需要高效功率转换、精准电流控制以及紧凑设计的场景中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 75A I-PAKMOSFET Trans MOSFET N-CH 25V 75A 3-Pin |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 75 A |
| Id-连续漏极电流 | 75 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PHU97NQ03LT,127- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PHU97NQ03LT,127 |
| Pd-PowerDissipation | 107 W |
| Pd-功率耗散 | 107 W |
| Qg-GateCharge | 11.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 11.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 12.3 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 12.3 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.6 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.6 V |
| 上升时间 | 33 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.15V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1570pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11.7nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.6 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 其它名称 | 934061436127 |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 功率-最大值 | 107W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 12.3 mOhms |
| 封装/外壳 | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 封装/箱体 | IPAK-3 |
| 工厂包装数量 | 3750 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 75 |
| 汲极/源极击穿电压 | 25 V |
| 漏极连续电流 | 75 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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