【未分类_IRF7473TRPBF】封装/厂家_IRF7473TRPBF中文资料_价格

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型号： IRF7473TRPBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7473TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7473TRPBF价格参考￥2.90-￥2.90。International RectifierIRF7473TRPBF封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IRF7473TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7473TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的IRF7473TRPBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单一类别。以下是其主要应用场景：

 1. 开关电源（SMPS）
   - IRF7473TRPBF常用于开关电源的设计中，作为功率开关器件。其低导通电阻（Rds(on)）特性使其能够高效地处理大电流负载，同时降低功耗。
   - 应用实例：适配器、充电器、DC-DC转换器等。

 2. 电机驱动
   - 在小型直流电机或步进电机的驱动电路中，该MOSFET可用作开关元件，控制电机的启动、停止和速度调节。
   - 特点：快速开关速度和低损耗，适合高频应用。

 3. 逆变器与太阳能系统
   - 用于小型逆变器或太阳能微逆变器中，作为功率转换的核心元件，实现直流到交流的转换。
   - 其高效率和可靠性有助于提高系统的整体性能。

 4. 负载切换与保护
   - 在汽车电子、工业控制或消费类电子产品中，IRF7473TRPBF可用于负载切换和过流保护电路，确保设备的安全运行。
   - 例如：电池管理系统（BMS）、车载电子设备等。

 5. 音频放大器
   - 在某些D类音频放大器设计中，该MOSFET可以用作输出级开关，提供高效的音频信号放大功能。

 6. LED驱动
   - 适用于高亮度LED照明系统的驱动电路，通过PWM调光技术控制LED亮度，同时保持较低的热损耗。

 总结
IRF7473TRPBF凭借其优异的电气特性和稳定性，广泛应用于需要高效功率转换和低功耗的场景。它特别适合高频开关应用，能够满足多种工业、消费电子和汽车领域的需求。在具体使用时，需根据实际电路需求选择合适的驱动电压和散热方案，以确保其性能最优。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-SOICMOSFET MOSFT 100V 6.9A 26mOhm 61nC
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	6.9 A
Id-连续漏极电流	6.9 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7473TRPBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRF7473TRPBF
Pd-PowerDissipation	2.5 W
Pd-功率耗散	2.5 W
Qg-GateCharge	61 nC
Qg-栅极电荷	61 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	26 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	26 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	100 V
Vds-漏源极击穿电压	100 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	5.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	3180pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	61nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	26 毫欧 @ 4.1A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	8-SO
其它名称	*IRF7473TRPBF IRF7473PBFCT
功率-最大值	2.5W
功率耗散	2.5 W
包装	剪切带（CT）
商标	International Rectifier
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	26 mOhms
封装	Reel
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装/箱体	SOIC-8
工厂包装数量	4000
晶体管极性	N-Channel
栅极电荷Qg	61 nC
标准包装	1
汲极/源极击穿电压	100 V
漏极连续电流	6.9 A
漏源极电压(Vdss)	100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	6.9A （Ta）
设计资源	http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf7473.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7473.spi
闸/源击穿电压	20 V