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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STP5N62K3由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP5N62K3价格参考。STMicroelectronicsSTP5N62K3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STP5N62K3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP5N62K3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STP5N62K3 是 STMicroelectronics(意法半导体)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET/MOSFET - 单类别的产品。以下是该型号的一些典型应用场景: 1. 开关电源 (SMPS) - STP5N62K3 的低导通电阻(Rds(on))和高击穿电压(60V)使其非常适合用于开关电源中的功率开关。例如,在 DC-DC 转换器中,它可以作为主开关管来调节输出电压。 - 它的快速开关特性能够提高效率并减少能量损耗。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机或步进电机驱动中,STP5N62K3 可用作功率级开关,控制电机的启动、停止和速度调节。 - 其低导通电阻有助于降低功耗,特别是在大电流应用中。 3. 负载开关 - 在消费电子设备中,如智能手机、平板电脑或笔记本电脑,STP5N62K3 可用作负载开关,实现对不同电路模块的供电管理。 - 它能够快速响应负载变化,并提供高效的电流传输。 4. 电池保护与管理 - 该 MOSFET 可用于锂电池或其他可充电电池的保护电路中,防止过流、短路或反向充电等问题。 - 其低导通电阻有助于减少电池放电时的电压降,从而延长电池寿命。 5. LED 驱动 - 在 LED 照明系统中,STP5N62K3 可用于恒流驱动电路,确保 LED 的亮度稳定且不会因电流波动而损坏。 - 它适用于中小功率 LED 灯具的设计。 6. 汽车电子 - 在汽车电子领域,例如车窗升降器、雨刷控制系统或座椅调节系统中,STP5N62K3 可作为功率开关,控制这些系统的运行。 - 其高可靠性和耐热性能适应了汽车环境的严苛要求。 7. 信号放大与缓冲 - 在某些低频信号处理电路中,STP5N62K3 可用作信号放大或缓冲元件,将微弱信号转换为更强的驱动信号。 总结来说,STP5N62K3 凭借其出色的电气特性和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及照明等领域,尤其是在需要高效功率开关和低损耗操作的场景中表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 620V 4.2A TO220ABMOSFET N-Ch 620V 1.28 Ohm SuperMESH3 4.3A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 4.2 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP5N62K3SuperMESH3™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STP5N62K3 |
| Pd-PowerDissipation | 70 W |
| Pd-功率耗散 | 70 W |
| Qg-GateCharge | 26 nC |
| Qg-栅极电荷 | 26 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.6 Ohms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 620 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 680pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.6 欧姆 @ 2.1A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 497-10771-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF250315?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 70W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 1.6 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 620 V |
| 漏极连续电流 | 4.2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 620V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.2A (Tc) |
| 系列 | STP5N62K3 |
| 配置 | Single |