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  • 型号: TL061IDR
  • 制造商: Texas Instruments
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供TL061IDR由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TL061IDR价格参考。Texas InstrumentsTL061IDR封装/规格:线性 - 放大器 - 仪表,运算放大器,缓冲器放大器, J-FET 放大器 1 电路 8-SOIC。您可以下载TL061IDR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TL061IDR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
-3db带宽

-

产品目录

集成电路 (IC)半导体

描述

IC OPAMP JFET 1MHZ 8SOIC运算放大器 - 运放 Low-Power JFET-Input

产品分类

Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps集成电路 - IC

品牌

Texas Instruments

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

放大器 IC,运算放大器 - 运放,Texas Instruments TL061IDR-

数据手册

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产品型号

TL061IDR

产品种类

运算放大器 - 运放

供应商器件封装

8-SOIC

共模抑制比—最小值

80 dB

关闭

No Shutdown

其它名称

296-14986-1

包装

剪切带 (CT)

单位重量

72.600 mg

单电源电压

7 V to 36 V

压摆率

3.5 V/µs

双重电源电压

+/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V, +/- 15 V

商标

Texas Instruments

增益带宽生成

1 MHz

增益带宽积

1MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8

工作温度

-40°C ~ 85°C

工作电源电压

7 V to 36 V, +/- 3.5 V to +/- 18 V

工厂包装数量

2500

技术

BiFET

放大器类型

J-FET

最大双重电源电压

+/- 18 V

最大工作温度

+ 85 C

最小双重电源电压

+/- 3.5 V

最小工作温度

- 40 C

标准包装

1

电压-电源,单/双 (±)

7 V ~ 36 V, ±3.5 V ~ 18 V

电压-输入失调

3mV

电流-电源

200µA

电流-输入偏置

30pA

电流-输出/通道

-

电源电流

0.25 mA

电路数

1

系列

TL061

转换速度

3.5 V/us

输入偏压电流—最大

200 pA

输入参考电压噪声

42 nV

输入补偿电压

6 mV

输出类型

-

通道数量

1 Channel

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