ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 > ISL9V5036S3S
Datasheet下载- 型号： ISL9V5036S3S
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ISL9V5036S3S由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ISL9V5036S3S价格参考。Fairchild SemiconductorISL9V5036S3S封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT 390V 46A 250W Surface Mount TO-263AB。您可以下载ISL9V5036S3S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ISL9V5036S3S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ISL9V5036S3S 是由 ON Semiconductor 生产的一款高压、高速功率 MOSFET，属于单N沟道MOSFET器件。该型号具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关效率和优良的热稳定性，适用于高频率、高效率的电源转换场景。 其典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC和DC-DC转换器中，特别是在服务器电源、通信电源和工业电源模块中，因其高耐压（500V）和低损耗特性，有助于提升整体能效。 2. LED照明驱动：适用于大功率LED恒流驱动电路，支持高频调光与稳定输出，提高照明系统的可靠性与寿命。 3. 电机驱动：可用于小型工业电机或风扇控制中的功率开关元件，实现高效启停与调速。 4. 光伏逆变器：在太阳能微逆系统中作为核心开关器件，参与直流转交流的高频切换过程，提升能量转换效率。 5. 消费类电子适配器：如笔记本电脑、显示器等设备的高密度电源适配器，满足小型化与高能效的设计需求。 ISL9V5036S3S 采用先进的沟槽式MOSFET工艺，具备良好的抗雪崩能力和抗过载性能，适合在高温、高电压环境下稳定运行。同时，其封装形式有利于散热设计，便于集成于紧凑型电路板中。综合来看，该器件适用于对效率、可靠性和空间布局有较高要求的中高功率应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | -/10.8µs |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | - |
| 描述 | IGBT 390V 46A 250W TO263AB |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 32nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | ISL9V5036S3S |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | EcoSPARK® |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | 300V， 1 千欧， 5V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.6V @ 4V，10A |
| 供应商器件封装 | TO-263AB |
| 其它名称 | ISL9V5036S3S_NL |
| 功率-最大值 | 250W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 400 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 390V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 46A |
| 输入类型 | 逻辑 |
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