ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 > BFU760F,115
Datasheet下载- 型号： BFU760F,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFU760F,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFU760F,115价格参考。NXP SemiconductorsBFU760F,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 2.8V 70mA 45GHz 220mW Surface Mount 4-DFP。您可以下载BFU760F,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFU760F,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 生产的 BFU760F,115 是一款双极射频晶体管（BJT），专为高频和射频应用设计。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 射频放大器 - BFU760F,115 适用于低噪声射频放大器的设计，特别是在无线通信系统中。它具有低噪声系数和高增益特性，适合用于接收机前端的低噪声放大器（LNA）。 - 应用领域包括蜂窝基站、无线局域网（WLAN）、蓝牙和其他短距离无线通信设备。 2. 混频器和调制器 - 在射频信号处理中，BFU760F,115 可用作混频器的核心元件，实现频率转换。它的高频性能使其适合于调制解调器和信号调制电路。 3. 振荡器 - 该晶体管可以用于设计高性能的射频振荡器，如本地振荡器（LO）。其高增益和稳定性有助于生成稳定的射频信号。 4. 无线通信模块 - BFU760F,115 常用于无线通信模块中的信号放大和处理。例如，在物联网（IoT）设备、GPS 模块和卫星通信系统中，该晶体管可用于提高信号强度和质量。 5. 雷达和导航系统 - 在雷达和导航系统中，该晶体管可用于信号放大和处理，确保高精度的信号传输和接收。 6. 测试与测量设备 - 在射频测试仪器中，BFU760F,115 可用于信号放大和滤波，以支持精确的测量功能。例如，频谱分析仪和网络分析仪可能使用此类晶体管。 特性总结： - 频率范围：适合高频和射频应用（通常在数百 MHz 至几 GHz 的范围内）。 - 低噪声：适合对信号质量要求较高的场景。 - 高线性度：确保在高动态范围应用中的稳定性能。 总之，BFU760F,115 是一款针对射频和高频应用优化的双极晶体管，广泛应用于通信、导航、测试设备等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS RF NPN 2.8V 70MA SOT343F射频双极晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors BFU760F,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BFU760F,115 |
| PCN封装 | |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 155 @ 10mA，2V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25714 |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | 4-DFP |
| 其它名称 | 568-8458-6 |
| 功率-最大值 | 220mW |
| 功率耗散 | 220 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 1 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-343F |
| 封装/箱体 | SOT-343 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | SiGe |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大工作频率 | 110 GHz |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 2.8V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 70mA |
| 类型 | RF Silicon Germanium |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 2.8 V |
| 集电极连续电流 | 70 mA |
| 频率 | 110 GHz |
| 频率-跃迁 | 45GHz |
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