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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD17N08LTM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD17N08LTM价格参考。Fairchild SemiconductorFQD17N08LTM封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQD17N08LTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQD17N08LTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD17N08LTM 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于多种电源管理和功率转换场景。其主要应用场景包括: 1. 电源转换器:适用于DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等,因其低导通电阻(Rds(on))和高效率特性,有助于提升电源系统的整体效率。 2. 电机驱动:用于电机控制电路中,作为开关元件,具备高耐压和良好热性能,适合中小型电机驱动应用。 3. 负载开关:在电源管理系统中作为负载开关使用,控制电源通断,适用于服务器、工业设备和消费类电子产品。 4. 电池管理系统:在电池充放电管理电路中作为开关器件,具有良好的导通特性和可靠性。 5. 照明系统:如LED驱动电路,用于调节和控制电流,实现高效照明方案。 该器件采用TO-252(DPAK)封装,便于散热和安装,适合中高功率应用。其80V漏源电压和17A连续漏极电流能力,使其在多种中功率应用场景中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 12.9A DPAKMOSFET 80V N-Channel QFET Logic Level |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 12.9 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQD17N08LTMQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQD17N08LTM |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 100 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 290 ns |
| 下降时间 | 75 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 520pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11.5nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 100 毫欧 @ 6.45A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | FQD17N08LTMCT |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 100 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 11.7 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 80 V |
| 漏极连续电流 | 12.9 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12.9A (Tc) |
| 系列 | FQD17N08 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |