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产品简介:
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ON Semiconductor(安森美)的NVMFS5844NLWFT3G是一款N沟道增强型MOSFET,属于高性能功率MOSFET产品系列。该器件广泛应用于需要高效率、低导通电阻和良好热性能的电源管理系统中。 典型应用场景包括:便携式电子设备(如智能手机、平板电脑)中的电源开关与负载管理;电池供电系统中的电源控制模块;DC-DC转换器,特别是在降压(Buck)拓扑结构中用于高效电压调节;电机驱动电路,适用于小型直流电机或步进电机的控制;以及各类消费类电子产品中的热插拔保护和电源分配管理。 由于其具备较低的栅极电荷(Qg)和优异的导通电阻(RDS(on)),NVMFS5844NLWFT3G在高频开关应用中表现出色,有助于提升整体能效并减少发热。此外,该器件采用紧凑型封装(如LFPAK或PowerSO-8类似封装),有利于节省PCB空间,适合高密度布局设计。 工业控制、家电控制板、LED照明驱动电源等对可靠性要求较高的领域也常采用该型号。同时,因其符合RoHS环保标准并具有良好的抗雪崩能力,适用于多种严苛工作环境。总体而言,NVMFS5844NLWFT3G是一款通用性强、稳定性高的MOSFET,适用于中低压功率开关场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 60V 61A SO8FL |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NVMFS5844NLWFT3G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1460pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 12 毫欧 @ 10A,10V |
供应商器件封装 | * |
功率-最大值 | 3.7W |
包装 | * |
安装类型 | * |
封装/外壳 | * |
标准包装 | 5,000 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11.2A (Ta) |