Datasheet下载- 型号： PSMN5R0-100PS,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN5R0-100PS,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN5R0-100PS,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN5R0-100PS,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN5R0-100PS,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN5R0-100PS,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN5R0-100PS,127 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的N沟道增强型逻辑电平功率MOSFET，采用TO-220AB封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅5.0 mΩ @ Vgs=10V，4.5 mΩ @ Vgs=4.5V）、高电流能力（ID可达120 A）及优良的开关性能。其主要应用场景包括： - 高效DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备和工业电源中的同步整流、Buck/Boost转换器主开关管，提升能效并降低温升； - 电机驱动系统：适用于中小功率无刷直流（BLDC）电机控制器、电动工具、风扇及泵类驱动，支持高频PWM调制与快速关断； - 负载开关与电源管理：在热插拔电路、电子保险丝（eFuse）、电池保护板及电源轨切换中提供低损耗通路控制； - 照明驱动：LED恒流驱动电路中的开关元件，尤其适用于高亮度、高可靠性要求的商用/工业照明； - 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101标准（注：需确认具体批次是否通过车规认证），可用于车载充电模块、车身控制单元（BCU）等非安全关键场景。 该器件具备强抗雪崩能力、低栅极电荷（Qg ≈ 80 nC）及优化的体二极管特性，兼顾效率与可靠性，适合中高功率、中高频（数十kHz至数百kHz）开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 120A TO220ABMOSFET N-Ch 100V 5 mOhms |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 110 A |
| Id-连续漏极电流 | 110 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN5R0-100PS,127- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN5R0-100PS,127 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 338 W |
| Pd-功率耗散 | 338 W |
| Qg-GateCharge | 170 nC |
| Qg-栅极电荷 | 170 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9900pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 170nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-6718 |
| 功率-最大值 | 338W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tmb） |
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