Datasheet下载- 型号： PSMN5R0-100PS,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN5R0-100PS,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN5R0-100PS,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN5R0-100PS,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN5R0-100PS,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN5R0-100PS,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PSMN5R0-100PS,127 是一款高性能 N 沟道 MOSFET，属于晶体管中的功率 MOSFET 单管类别。该器件具有 100V 的漏源电压（VDS）和极低的导通电阻（典型值约 5 mΩ），适用于高效率、大电流开关应用。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：广泛用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和同步整流电路中，因其低导通损耗可显著提升能效。 2. 电机驱动：适用于工业自动化、电动工具及家用电器中的直流电机控制，支持高频开关与快速响应。 3. 汽车电子：在车载系统如车身控制模块、LED 照明驱动和电池管理系统中提供可靠性能，满足严苛的车规级要求。 4. 工业与消费电子：用于负载开关、热插拔电路和电源分配系统，具备良好的热稳定性和耐用性。 该 MOSFET 采用 LFPAK 封装（类似 TO-Leadless），散热性能优异，适合需要紧凑设计和高效散热的应用。其高电流承载能力（持续漏极电流可达数十安培）和坚固的结构使其在高温、高负载环境下仍保持稳定运行。 综上，PSMN5R0-100PS,127 特别适用于追求高效率、小尺寸和高可靠性的中高功率电子系统，尤其在汽车和工业领域表现突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 120A TO220ABMOSFET N-Ch 100V 5 mOhms |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 110 A |
| Id-连续漏极电流 | 110 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN5R0-100PS,127- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN5R0-100PS,127 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 338 W |
| Pd-功率耗散 | 338 W |
| Qg-GateCharge | 170 nC |
| Qg-栅极电荷 | 170 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9900pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 170nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-6718 |
| 功率-最大值 | 338W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tmb） |
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