Datasheet下载- 型号： SIR410DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIR410DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIR410DP-T1-GE3价格参考￥3.04-￥3.31。VishaySIR410DP-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIR410DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIR410DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIR410DP-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于需要高效开关和功率控制的电子设备中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于 DC-DC 转换器、电源适配器、电池充电器等，实现高效的能量转换和稳定的电压调节。 2. 电机控制：在电动工具、电动车、工业自动化设备中，作为电机驱动电路中的开关元件，控制电机的启停与转速。 3. 负载开关：用于智能电源分配系统中，控制不同负载的通断，如服务器、计算机外设和工业控制系统。 4. 逆变器与变频器：在 UPS（不间断电源）、太阳能逆变器等设备中，用于将直流电转换为交流电，实现能源的高效利用。 5. 汽车电子：应用于汽车电源系统、LED 照明驱动、车载充电器等场景，满足汽车环境对可靠性和效率的高要求。 该器件具有低导通电阻、高开关速度和耐高温特性，适合高效率、高频率的开关应用，是一款性能稳定、适用范围广的功率 MOSFET。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8MOSFET 20V 35A 36W |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 35 A |
| Id-连续漏极电流 | 35 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIR410DP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIR410DP-T1-GE3SIR410DP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 4.2 W |
| Pd-功率耗散 | 4.2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1600pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 41nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.8 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SIR410DP-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 功率-最大值 | 36W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 70 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 35A （Tc） |
| 系列 | SIRxxxDP |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SIR410DP-GE3 |
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