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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IXTP08N100D2
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTP08N100D2由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTP08N100D2价格参考。IXYSIXTP08N100D2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXTP08N100D2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTP08N100D2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTP08N100D2是一款高压N沟道MOSFET，属于晶体管中的功率MOSFET类别。该器件具有1000V的高漏源击穿电压和8A的连续漏极电流能力，采用TO-247封装，具备优良的散热性能和可靠性，适用于高电压、中等电流的功率开关应用。 其典型应用场景包括： 1. 高压电源系统：广泛用于开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC整流器中，特别适用于需要高耐压的工业电源设备。 2. 逆变器与UPS：在不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和电机驱动逆变电路中，作为主开关元件实现电能转换与控制。 3. 感应加热与电子镇流器：因其快速开关特性和高耐压能力，适用于电磁炉、工业加热设备及高强度放电灯（HID）镇流器。 4. 工业控制与电机驱动：可用于中等功率电机控制电路，实现高效节能的开关操作。 5. 高压脉冲应用：如激光驱动、电容放电系统等需要快速响应和高耐压能力的特种设备。 IXTP08N100D2还集成了快速恢复体二极管（D2系列），可有效减少外部续流二极管的需求，简化电路设计，提升系统效率与可靠性。综合来看，该MOSFET适合工作在高电压、高频开关环境下的工业级应用，尤其在对系统稳定性与能效要求较高的场合表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220ABMOSFET N-CH MOSFETS 1000V 800MA |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 耗尽模式 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 800 mA |
| Id-连续漏极电流 | 800 mA |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTP08N100D2- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXTP08N100D2 |
| Pd-PowerDissipation | 60 W |
| Pd-功率耗散 | 60 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 21 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 21 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1 kV |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 325pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14.6nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 21 欧姆 @ 400mA，0V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 60W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.300 g |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 1000V（1kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 800mA （Tc） |
| 系列 | IXTP08N100 |
| 配置 | Single |
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