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Datasheet下载- 型号： IRLR7807ZPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR7807ZPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR7807ZPBF价格参考。International RectifierIRLR7807ZPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRLR7807ZPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLR7807ZPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）旗下的型号IRLR7807ZPBF，属于N沟道功率MOSFET，常用于高效能电源转换与控制电路。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等电源模块，因其低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，有助于提高电源效率并减少发热。 2. 电机驱动：广泛应用于直流电机、步进电机等驱动电路中，适合需要高频开关与高可靠性的工业自动化与机器人控制系统。 3. 汽车电子：该器件符合AEC-Q101汽车级标准，适用于车载电源系统、车身控制模块、LED照明驱动等场景，具备良好的温度稳定性和耐用性。 4. 消费类电子产品：如笔记本电脑、平板电源管理模块、充电器与适配器等，因其小型化封装（如PowerPAK SO-8）节省空间，适合高密度PCB布局。 5. 工业控制：用于PLC、传感器模块、继电器替代开关等工业自动化设备中，提供快速开关响应和高可靠性。 该MOSFET具备高耐压（Vds=30V）、大电流（Id=50A）特性，适合高频开关应用，广泛适用于需要高效能与稳定性的电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 43A DPAKMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13.8mOhms 7nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 43 A |
| Id-连续漏极电流 | 43 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLR7807ZPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLR7807ZPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 40 W |
| Pd-功率耗散 | 40 W |
| Qg-GateCharge | 7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 18.2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 18.2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 28 ns |
| 下降时间 | 3.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.25V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 780pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 13.8 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 9.8 ns |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 43A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irlru7807z.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irlru7807z.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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