Datasheet下载- 型号： IXFK44N80P
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFK44N80P由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFK44N80P价格参考。IXYSIXFK44N80P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFK44N80P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFK44N80P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFK44N80P是一款高功率MOSFET晶体管，广泛应用于需要高效能和高稳定性的电力电子设备中。该器件属于N沟道增强型MOSFET，具备高耐压（800V）、大电流（44A）和低导通电阻的特性，适合用于开关电源、DC-AC逆变器、电机驱动以及工业自动化控制系统等场景。此外，其优异的热稳定性和快速开关能力也使其在高频电源转换器和节能照明系统中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 44A TO-264MOSFET 44 Amps 800V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 44 A |
| Id-连续漏极电流 | 44 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFK44N80PPolarHV™ HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFK44N80P |
| Pd-PowerDissipation | 1200 W |
| Pd-功率耗散 | 1200 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 190 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 190 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 800 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 22 ns |
| 下降时间 | 27 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 8mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 12000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 198nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 190 毫欧 @ 22A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-264AA （IXFK） |
| 典型关闭延迟时间 | 75 ns |
| 功率-最大值 | 1040W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 10 g |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-264-3，TO-264AA |
| 封装/箱体 | TO-264-3 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 25 |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 44A （Tc） |
| 系列 | IXFK44N80 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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