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  • 型号: IRFI9540G
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFI9540G由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFI9540G价格参考。VishayIRFI9540G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFI9540G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFI9540G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix品牌的IRFI9540G是一款N沟道增强型功率MOSFET,其主要应用场景包括但不限于以下领域:

1. 开关电源(SMPS):  
   IRFI9540G具有低导通电阻(Rds(on))和高击穿电压(Vds),适用于开关电源中的功率转换电路。它能够高效地处理高频开关操作,减少能量损耗。

2. 电机驱动:  
   该器件适合用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,作为功率开关控制电机的启动、停止和速度调节。

3. DC-DC转换器:  
   在降压或升压DC-DC转换器中,IRFI9540G可以用作主开关管,提供高效的电流传输和快速的开关性能。

4. 负载开关:  
   它可以应用于各种电子设备中的负载开关功能,例如笔记本电脑、平板电脑或其他便携式设备,用于动态管理电源分配。

5. 电池管理系统(BMS):  
   在电池保护和管理系统中,IRFI9540G可用于充放电控制、过流保护以及短路保护等功能。

6. 逆变器:  
   此款MOSFET也适用于小型逆变器电路,将直流电转换为交流电以供家用电器使用。

7. 音频功率放大器:  
   在某些音频应用中,它可以作为输出级开关元件,提供大电流输出以驱动扬声器。

8. 继电器替代方案:  
   IRFI9540G可以用作固态继电器,取代传统机械继电器实现更可靠、更快的切换操作。

由于其出色的电气特性(如最大漏源电压为100V,连续漏极电流可达33A),IRFI9540G非常适合需要高效率、高可靠性及紧凑设计的各种工业与消费类电子产品中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 100V 11A TO220FPMOSFET P-Chan 100V 11 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

11 A

Id-连续漏极电流

11 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

否含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFI9540G-

数据手册

http://www.vishay.com/doc?91164

产品型号

IRFI9540GIRFI9540G

Pd-PowerDissipation

48 W

Pd-功率耗散

48 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

200 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

200 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 100 V

Vds-漏源极击穿电压

- 100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

110 ns

下降时间

86 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1400pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

61nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

200 毫欧 @ 6.6A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220-3

其它名称

*IRFI9540G

典型关闭延迟时间

51 ns

功率-最大值

48W

功率耗散

48 W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

200 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3 全封装,隔离接片

封装/箱体

TO-220FP-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1,000

汲极/源极击穿电压

- 100 V

漏极连续电流

11 A

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

11A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

+/- 20 V

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