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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFI9540G由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFI9540G价格参考。VishayIRFI9540G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFI9540G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFI9540G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的IRFI9540G是一款N沟道增强型功率MOSFET,其主要应用场景包括但不限于以下领域: 1. 开关电源(SMPS): IRFI9540G具有低导通电阻(Rds(on))和高击穿电压(Vds),适用于开关电源中的功率转换电路。它能够高效地处理高频开关操作,减少能量损耗。 2. 电机驱动: 该器件适合用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,作为功率开关控制电机的启动、停止和速度调节。 3. DC-DC转换器: 在降压或升压DC-DC转换器中,IRFI9540G可以用作主开关管,提供高效的电流传输和快速的开关性能。 4. 负载开关: 它可以应用于各种电子设备中的负载开关功能,例如笔记本电脑、平板电脑或其他便携式设备,用于动态管理电源分配。 5. 电池管理系统(BMS): 在电池保护和管理系统中,IRFI9540G可用于充放电控制、过流保护以及短路保护等功能。 6. 逆变器: 此款MOSFET也适用于小型逆变器电路,将直流电转换为交流电以供家用电器使用。 7. 音频功率放大器: 在某些音频应用中,它可以作为输出级开关元件,提供大电流输出以驱动扬声器。 8. 继电器替代方案: IRFI9540G可以用作固态继电器,取代传统机械继电器实现更可靠、更快的切换操作。 由于其出色的电气特性(如最大漏源电压为100V,连续漏极电流可达33A),IRFI9540G非常适合需要高效率、高可靠性及紧凑设计的各种工业与消费类电子产品中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 11A TO220FPMOSFET P-Chan 100V 11 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 11 A |
| Id-连续漏极电流 | 11 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 否含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFI9540G- |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91164 |
| 产品型号 | IRFI9540GIRFI9540G |
| Pd-PowerDissipation | 48 W |
| Pd-功率耗散 | 48 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 200 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 200 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 110 ns |
| 下降时间 | 86 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 61nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 200 毫欧 @ 6.6A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | *IRFI9540G |
| 典型关闭延迟时间 | 51 ns |
| 功率-最大值 | 48W |
| 功率耗散 | 48 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 200 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 全封装,隔离接片 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 100 V |
| 漏极连续电流 | 11 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |