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产品简介:
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NTD50N03RT4G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻、高效率和良好热性能的特点。该器件常用于以下应用场景: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等电源管理电路,提高能效,减少发热。 2. 电机驱动:用于电机控制电路中,作为高效开关元件,控制电机的启停与转速。 3. 电池供电设备:如笔记本电脑、平板、便携式充电器等,用于高效能电源开关和功率控制。 4. 工业自动化:在PLC、工业控制模块中作为功率开关使用,控制继电器、传感器或执行器。 5. 汽车电子:用于车载电源系统、LED照明驱动、电动工具等,满足汽车环境对可靠性和效率的要求。 6. 消费类电子产品:如智能家电、电源适配器、充电器等,实现高效、小型化设计。 该MOSFET采用小型封装(如PowerPAK SO-8),适合高密度PCB布局,广泛应用于中低功率开关场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTD50N03RT4G |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 750pF @ 12V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 11.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 12 毫欧 @ 30A,11.5V |
供应商器件封装 | D-Pak |
功率-最大值 | 1.5W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
标准包装 | 2,500 |
漏源极电压(Vdss) | 25V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7.8A (Ta), 45A (Tc) |