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  • 型号: NTD50N03RT4G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTD50N03RT4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD50N03RT4G价格参考。ON SemiconductorNTD50N03RT4G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTD50N03RT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTD50N03RT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTD50N03RT4G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻、高效率和良好热性能的特点。该器件常用于以下应用场景:

1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等电源管理电路,提高能效,减少发热。

2. 电机驱动:用于电机控制电路中,作为高效开关元件,控制电机的启停与转速。

3. 电池供电设备:如笔记本电脑、平板、便携式充电器等,用于高效能电源开关和功率控制。

4. 工业自动化:在PLC、工业控制模块中作为功率开关使用,控制继电器、传感器或执行器。

5. 汽车电子:用于车载电源系统、LED照明驱动、电动工具等,满足汽车环境对可靠性和效率的要求。

6. 消费类电子产品:如智能家电、电源适配器、充电器等,实现高效、小型化设计。

该MOSFET采用小型封装(如PowerPAK SO-8),适合高密度PCB布局,广泛应用于中低功率开关场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

NTD50N03RT4G

PCN过时产品

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

750pF @ 12V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

15nC @ 11.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

12 毫欧 @ 30A,11.5V

供应商器件封装

D-Pak

功率-最大值

1.5W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

标准包装

2,500

漏源极电压(Vdss)

25V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

7.8A (Ta), 45A (Tc)

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