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产品简介:
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IPU80R1K4CEBKMA1 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的一款功率 MOSFET,属于碳化硅(SiC)技术器件,具有高效率和高性能特点。该器件主要应用于需要高效能功率转换的场景,具体包括: 1. 新能源汽车领域:主要用于电动汽车的车载充电器(OBC)和DC-DC转换器中,提升能量转换效率,减小系统体积并提高可靠性。 2. 工业电源系统:适用于高功率密度的工业电源、不间断电源(UPS)以及光伏逆变器等,支持高频开关,降低开关损耗,提高系统整体能效。 3. 能源与储能系统:在储能逆变器和智能电网设备中,用于实现高效电能转换与管理,适应高温和高电压工作环境。 4. 家电与高端消费电子:在高功率家电(如高效变频空调、智能家电电源模块)中用于提升能效和功率密度。 5. 服务器与数据中心电源:用于高效率电源供应系统,满足绿色节能要求,降低运行成本。 该器件采用先进的碳化硅材料,具备低导通电阻、高击穿电压和优异的热稳定性,适合在高频率、高温度和高电压环境下运行,是现代高效电力电子系统中的关键元件。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | * |
FET类型 | * |
品牌 | Infineon Technologies |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/DS_IPX80R1K4CE_2_1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a304340155f3d01402f3b471926eb |
产品图片 | |
产品型号 | IPU80R1K4CEBKMA1 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | * |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | * |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | * |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | * |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | * |
供应商器件封装 | * |
其它名称 | SP001100620 |
功率-最大值 | * |
包装 | * |
安装类型 | * |
封装/外壳 | * |
标准包装 | 1,500 |
漏源极电压(Vdss) | * |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | * |