Datasheet下载- 型号： IRFR3303TRR
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR3303TRR由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR3303TRR价格参考。International RectifierIRFR3303TRR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFR3303TRR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR3303TRR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRFR3303TRR的晶体管属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别，是一种单沟道的功率MOSFET。该器件广泛应用于需要高效能、高速开关特性的场合。 IRFR3303TRR的典型应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，用于提高电源转换效率，降低功耗。 2. 电机控制：用于电动工具、家用电器和工业设备中的电机驱动电路，实现对电机转速和方向的精确控制。 3. 电池管理系统（BMS）：在锂电池保护电路中作为开关元件，用于防止过流、短路和反向电流。 4. 汽车电子：如车载充电器、车身控制模块和LED照明系统，因其具备高可靠性和耐高温特性，适合车载环境。 5. 消费电子产品：例如笔记本电脑、游戏设备和智能家电中的功率控制模块。 该MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流承载能力和优良的热性能，适合用于中高功率应用。其封装形式为TO-252（DPAK），便于散热和安装，适用于表面贴装技术（SMT）。 总之，IRFR3303TRR适用于对效率、体积和可靠性有要求的功率电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 33A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRFR3303TRR |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 750pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 31 毫欧 @ 18A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 57W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 33A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfr3303.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfr3303.spi |
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