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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ5258B-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ5258B-7-F价格参考¥0.09-¥0.09。Diodes Inc.MMSZ5258B-7-F封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 36V 500mW ±5% Surface Mount SOD-123。您可以下载MMSZ5258B-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMSZ5258B-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMSZ5258B-7-F 是德州仪器(Texas Instruments)出品的一款表面贴装齐纳二极管,标称稳压值为39 V(容差±5%),额定功率为500 mW,采用SOD-123封装。其典型应用场景包括: 1. 电压基准与稳压:在低功耗、中精度模拟电路(如传感器信号调理、ADC参考源辅助电路)中,提供稳定的39 V基准电压;适用于输入电压波动较小、负载电流较轻(通常<10 mA)的场合。 2. 过压保护(OVP):常与TVS或串联限流电阻配合,用于保护后级IC(如MCU、运放供电端)免受瞬态过压冲击(如电源浪涌、ESD耦合),尤其适合3.3 V/5 V系统中对39 V母线或中间节点的钳位防护。 3. 电源反馈环路:在反激式或线性稳压器(如TL431外围电路)中,作为辅助稳压元件参与反馈分压网络,提升输出电压精度与温度稳定性。 4. 电平转换与箝位:在接口电路中限制信号摆幅(如将高压信号箝位至39 V以下),防止损坏低压逻辑器件。 需注意:该器件为单齐纳结构,无内置限流电阻,实际应用中必须外接限流电阻以确保工作电流在额定范围内(IZmin ≈ 1 mA,IZmax ≈ 12 mA),并兼顾功耗与温升。不适用于大电流稳压或高频动态响应要求严苛的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 36V 500MW SOD123稳压二极管 36V 500mW |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated MMSZ5258B-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMSZ5258B-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 27V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 其它名称 | MMSZ5258B-FDICT |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123 |
| 封装/箱体 | SOD-123 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 100 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 70 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 36V |
| 电压容差 | 5 % |
| 系列 | MMSZ5258B |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 70 欧姆 |
| 齐纳电压 | 36 V |
| 齐纳电流 | 3.4 mA |