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产品简介:
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3LN01C-TB-H 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,常用于低电压、低电流的开关应用。该器件具有小尺寸封装和较低的导通电阻,适合对空间和功耗要求较高的场景。 主要应用场景包括: 1. 便携式电子产品:如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等设备中的电源管理电路,用于电池供电系统的开关控制。 2. DC-DC转换器:适用于小型DC-DC降压或升压电路,用于提高电源转换效率。 3. 负载开关:在需要控制外设电源通断的场合,如USB电源控制、传感器电源管理中使用。 4. 电机驱动电路:用于小型电机或风扇的控制,特别是在低电压环境下。 5. LED驱动:用于调节LED背光或照明系统的开关控制。 6. 工业控制设备:如PLC、传感器模块、小型继电器驱动等低功耗控制系统。 该MOSFET适合用于需要高效、小体积、低成本设计的电路中,尤其适用于中低功率的开关应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平栅极,2.5V 驱动 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | 3LN01C-TB-H |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.58nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.7 欧姆 @ 80mA,4V |
供应商器件封装 | 3-CP |
功率-最大值 | 250mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 150mA (Ta) |