数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RCX120N25由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RCX120N25价格参考。ROHM SemiconductorRCX120N25封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载RCX120N25参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RCX120N25 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor(罗姆半导体)的RCX120N25是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于需要高效功率转换与控制的电子设备中。该器件具有低导通电阻、高耐压(250V)和大电流承载能力(120A)等特点,适合用于高效率、高功率密度的电力电子系统。 其主要应用场景包括: 1. 电源转换器:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)等,用于提高能量转换效率并减小体积。 2. 电机驱动:适用于工业自动化设备、电动工具、电动车电机控制器等场合,提供快速开关和高效能驱动。 3. 逆变器系统:如太阳能逆变器、不间断电源(UPS)等,用于将直流电转换为交流电,RCX120N25的高耐压和大电流特性非常适合此类应用。 4. 负载开关:用于控制高功率负载的通断,例如加热元件、大功率LED照明、工业设备中的继电器替代方案。 5. 电池管理系统(BMS):在高功率电池组中作为充放电控制开关,保障系统安全和效率。 综上,RCX120N25凭借其优异的电气性能和可靠性,适用于多种高功率、高频开关场景,是工业、汽车及消费类电力电子设备中的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FMMOSFET Nch 250V 12A MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 12 A |
Id-连续漏极电流 | 12 A |
品牌 | Rohm Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RCX120N25- |
数据手册 | |
产品型号 | RCX120N25 |
Pd-PowerDissipation | 40 W |
Pd-功率耗散 | 40 W |
RdsOn-漏源导通电阻 | 235 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 250 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | - |
产品目录绘图 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220FM |
功率-最大值 | 40W |
包装 | 散装 |
商标 | ROHM Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Bulk |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
封装/箱体 | TO-220FM-3 |
工厂包装数量 | 500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
标准包装 | 500 |
漏源极电压(Vdss) | 250V |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12A (Ta) |