Datasheet下载- 型号： FQB6N15TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB6N15TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB6N15TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB6N15TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB6N15TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB6N15TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB6N15TM 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，常用于中高功率的开关应用。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、电源适配器和开关电源（SMPS），因其具备较低导通电阻和高效率特性，适合高效能电源设计。 2. 电机控制：在直流电机驱动器或步进电机控制电路中，作为功率开关使用，具备快速开关能力和较高耐用性。 3. 负载开关：用于控制高功率负载的通断，如照明系统、加热元件或风扇等，具备良好的热稳定性和过载保护能力。 4. 电池管理系统：应用于电动车、储能系统或便携式设备中的电池充放电管理电路，支持高频率开关操作。 5. 工业自动化：作为工业控制设备中的功率开关元件，如PLC输出模块、继电器替代方案等。 该器件采用TOLL封装，具备优良的散热性能，适合高密度和高功率应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 6.4A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB6N15TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 270pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 600 毫欧 @ 3.2A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 3.75W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.4A （Tc） |
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