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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH5004TR2PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH5004TR2PBF价格参考。International RectifierIRFH5004TR2PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFH5004TR2PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFH5004TR2PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为 IRFH5004TR2PBF 的MOSFET属于高性能功率场效应晶体管,广泛应用于需要高效能、高可靠性的电力电子系统中。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理系统:该MOSFET适用于DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等电源管理模块,尤其在同步整流电路中表现优异,有助于提升整体效率并降低功耗。 2. 电机驱动电路:在直流电机、步进电机或无刷电机控制中,IRFH5004TR2PBF可作为高侧或低侧开关,具备快速开关能力和低导通电阻,适合高频PWM控制。 3. 负载开关与电源分配:由于其导通电阻低(Rds(on) 小),可应用于负载开关、电池管理系统(BMS)和热插拔电路中,实现对负载的高效控制与保护。 4. 工业自动化设备:在工业控制、自动化系统及PLC(可编程逻辑控制器)中,用于高频率开关控制和功率调节。 5. 汽车电子系统:如车载充电系统、DC-DC变换器、车身控制模块等,满足汽车电子对高可靠性和工作温度范围的要求。 6. 消费类电子产品:适用于笔记本电脑、平板电源管理模块、高效率适配器及LED照明驱动等场合。 该器件采用Trench沟槽技术,具有高效率、低损耗、封装小巧等优点,适合高密度和高频率开关应用,广泛适用于各种中低功率电力电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 28A 8VQFNMOSFET MOSFT 40V 100A 2.6mOhm 73nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH5004TR2PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFH5004TR2PBF |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 250 W |
| Pd-功率耗散 | 250 W |
| Qg-GateCharge | 73 nC |
| Qg-栅极电荷 | 73 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 13 ns |
| 下降时间 | 28 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 150µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4490pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.6 毫欧 @ 50A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PQFN(5x6)单芯片焊盘 |
| 其它名称 | IRFH5004TR2PBFDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 28 nS |
| 功率-最大值 | 3.6W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-VQFN |
| 封装/箱体 | PQFN-8 5X6 |
| 工厂包装数量 | 400 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 91 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 28A (Ta), 100A (Tc) |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |