Datasheet下载- 型号： IXTJ4N150
- 制造商： IXYS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTJ4N150由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTJ4N150价格参考。IXYSIXTJ4N150封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXTJ4N150参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTJ4N150 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTJ4N150是一款高压大功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单管结构，常用于需要高电压和较高功率处理能力的电力电子设备中。 该器件的主要应用场景包括： 1. 电源转换设备：如开关电源（SMPS）、DC-DC变换器和AC-DC整流器，适用于工业自动化电源系统和高功率适配器。 2. 电机驱动系统：用于变频器或伺服驱动器中，控制交流或直流电机的运行，尤其适用于需要高效能和高可靠性的工业电机控制场合。 3. 新能源领域：在太阳能逆变器、风能转换系统中作为功率开关，实现电能的高效转换与调节。 4. 电动汽车与充电桩：可用于车载充电器、DC-DC转换模块或充电桩电源系统，满足高电压平台下对功率器件的性能需求。 5. 工业控制与自动化设备：如UPS不间断电源、焊接设备、电镀电源等，对高耐压和导通损耗有较高要求的应用场合。 IXTJ4N150具备高耐压（1500V）、低导通电阻及良好的热稳定性，适合在高温和高电压环境下稳定工作，广泛应用于中高功率电力电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 1500V 2.5A ISOTO-247MOSFET High Voltage Power MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 2.5 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTJ4N150- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXTJ4N150 |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| Qg-GateCharge | 44.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 44.5 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6 Ohms |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1.5 kV |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
| 上升时间 | 23 ns |
| 下降时间 | 22 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1576pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 44.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6 欧姆 @ 2A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 典型关闭延迟时间 | 42 ns |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 6 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | ISO TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 2.8 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 1.5 kV |
| 漏极连续电流 | 2.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 1500V（1.5kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.5A （Tc） |
| 系列 | IXTJ4N150 |
| 通道模式 | Enhancement |
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